三星作为全球半导体技术的领导者，已经正式官宣使用3nm 工艺节点制造GAA 环栅晶体管晶片。3nm 工艺对比现有商用5nm 工艺，体积减少16% ，功耗降低45% ，性能提升23% 。
据三星的介绍，首批GAA 晶片选择的是多桥通道FET（简称MBCEFT）技术制造，可以通过下调电压水平来提升能源效率，增加驱动电流提升性能。最新的3nm GAA 晶体管技术将在未来应用于高性能、低功耗计算等领域。
三星在3nm 工艺上选择了自主的专有技术，拥有更宽的通道。这让三星有能力调节3nm GAA 纳米片的通道宽度，满足不同客户对于功耗与性能的要求。更加自由的选择可提升设计技术的协同优化（DTCP）能力，提升工艺的功耗、性能和面积（PPA）等方面的优势。
要知道，三星的5nm 工艺对比高通来说存在许许多多的不足之处，此次率先推出的3nm 工艺能否实现逆袭。据介绍，Samsung 初代的3nm GAA 工艺相比现有5nm 工艺减少16% 的面积和45% 的功耗，提升23% 的性能。第二代的3nm 工艺进一步提升，可减少35% 的面积，降低50%的功耗，提升30% 的性能。