三星在内存颗粒领域一直都是行业的领头地位12月21日，三星电子宣布已成功开发出其首款采用12nm 级工艺技术制造的16GB DDR5 DRAM，其性能有望进一步突破。
据了解，这一技术突破是通过使用一种新的高介电（high-k）材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的，其结合了先进的多层极紫外（EUV）光刻技术。
不仅如此，新款DRAM 拥有三星最高的DDR5 Die 密度（Die density），可使晶圆生产率提高20%，这大大提高了效率，并且处在基于DDR5 最新标准，Samsung 12nm 级DRAM 将解锁高达7.2Gbps 的速度，这意味着一秒钟内处理两部30GB 的超高清（UHD）电影。
凭借卓越的性能和能效，我们希望新款DRAM 能够成为下一代计算、数据中心和AI 驱动系统等领域更可持续运营的基础。三星的这款DRAM 将会于明年量产，并且其还计划将这一基于先进12nm 级工艺技术的DRAM 产品扩展到更广泛的市场领域