三星晒“肌肉”-展示3nm工艺-电流只需0.23V。

近几年晶片制作工艺飞速发展,台积电作为皇者一路策马扬鞭,碾压其他对手。放眼市场,目前能与台积电对抗的只剩下Samsung,但是Samsung 的品质一直饱受诟病,特别是今年的Snapdragon 888 处理器,让不少人感到失望。

近期,在召开的IEEE ISSCC 国际固态电路大会上,Samsung Foundry 首次对外展示了3nm 工艺制造的晶片。该3nm 工艺制程是一颗256GB(32GB) 容量的SRAM 存储晶片,这是新工艺落地的第一步。

三星展示3nm工艺
在大会上,Samsung 公布了一张工艺路线图上,可以看到Samsung 是以14nm、10nm、7nm、3nm 作为技术节点,而例如11、5nm 等是升级改善型。

而在这一次3nm 工艺中,Samsung 采用了GAAFET (环绕栅极场效应晶体管)技术,再一次突破晶体管结构。

目前GAAFET 技术分为两种类型,一种为常规GAAFET,采用纳米线为晶体管的鳍,另一种为MBCFET,采用的是纳米片作为晶体管的鳍,这会更厚一些。

展示3nm工艺怎么样

Samsung 的3nm SRAM 晶片采用的是MBCFET 技术,其容量达到256GB,面积为56 平方毫米。根据Samsung 的介绍,3GAE 工艺相比7LPP,晶体管密度最高可提升80%,性能最高提升30%,而功耗却可降低50%。其中最让Samsung 骄傲的是,该存储晶片采用MBCFET 的多种省电技术,写入电流只需要区区0.23V。

3nm 工艺节点或许可让Samsung 摆脱目前5nm 工艺出现的问题,例如功耗高、发热量大等,避免翻车。

三星CPU

或许,这可以让Samsung 更好地控制晶片功耗、发热,避免再出现所谓的「炒车」。

而台积电那边将继续沿用FinFET 技术,根据官方介绍,3nm 技术可提升晶体管密度70%,性能提升11%,功耗降低27%。从数据来看,台积电的3nm 工艺未有向大众展示,这点可能落后于Samsung。

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