三星3nm拉上了进程-能否超越台积电?

目前全球已量产的最先进半导体工艺是5nm,台积电此前表示,2022 年下半年将量产3nm 工艺,沿用选择FinFET 晶体管技术。Samsung 这边也将3nm 拉上了进程,选择了GAA(Gate-all-around)技术,并且几个月前还成功流片,距离实现量产更近了一步。

三星3nm拉上了进程

Samsung 3nm GAA 工艺比起目前较成熟的FinFET 晶体管技术来说是非常的「稚嫩」,当然,这并不是判断谁更好的标准,那么GAA 又是什么呢?据悉,GAA 是一种新型的环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET 晶体管技术。

Samsung 的3nm GAA(MBCFET)工艺分为3GAAE / GAAP (3nm Gate- AlI-Around Early/Plus) 两个阶段。根据Samsung 表示,与目前的5nm 制造工艺相比,3nm GAA 技术的逻辑面积效率提高了35% 以上,功耗降低了50%, 性能提高了约30%。

Samsung 电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung 在8 月25 日的一场网络技术论坛中透露,Samsung 能够抢在主要竞争者台积电之前,宣布GAA 技术商业化。不过,就目前台积电的计划来看,3nm 的真正量产商用Samsung 不一定能赶在台积电前面。目前有消息称Samsung 3nm GAA 工艺可能会拖到2024 年量产,将会直接与台积电2nm 竞争,那又是差一个级别。

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